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2200-3000半導体シリコンウェーハ用グラファイトヒーター:高温処理用グラファイト材料、真空炉技術仕様各種発熱体、加熱室、

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説明

基本情報
モデル番号。GH-102
かさ密度1.85
輸送パッケージ合板製
仕様カスタマイズされた
商標直流
起源中国、北京
HSコード2701129000
生産能力毎日10個
製品説明
半導体シリコンウェーハ用2200-3000グラファイトヒーター:
高温処理用黒鉛材料、真空炉
技術仕様
技術仕様BTH-4BTH-5GSK材料を輸入する
かさ密度 g/cm3≥ 1.78≥ 1.85≥1.751.77~1.83
灰分含有量PPM≤1000≤1000≤1000200
ショア硬度40以上≥ 45--
比抵抗 μΩm≤ 12≤ 10≤ 8.513-14
曲げ強さ Mpa≥ 3540以上15以上50-60
圧縮強度Mpa≥ 5575以上≥35-
最大。 粒径μm≤43≤43≤0.810
熱膨張係数≤ 4.5≤ 4.4
-3.9-4.0
各種発熱体、加熱室、炉床、加熱管、ブラケット、ジョイントボード、黒鉛調整板、ジョイント部、黒鉛導体棒、黒鉛ヒーター、黒鉛断熱室、黒鉛トレイ、焼結用黒鉛箱、黒鉛プレート、ヒーターチューブ、ブリッジフレーム、接続パターン、電極ジョイント、インシュレーションバレル、加熱システム用ヒートシールドなど
当社はカーボンおよびグラファイト製品の専門メーカーおよび輸出業者です。 当社は2000年に設立されました。当社の工場は北京市にあり、北京空港から50キロメートルです。
私たちは主にグラファイトロッド、グラファイトブロック、グラファイトるつぼ、グラファイトモールド、グラファイトベアリング、グラファイトフェルト、カーボンファイバークロスなどを生産しています。
図面と仕様書に従って製作します。
グラファイトには、モールドグラファイト、等方性グラファイト、押出グラファイト、振動グラファイトがあります。 かさ密度は1.6g/cm3から1.91g/cm3。
電子・半導体産業向けカーボングラファイト製品
高温下での工業炉による処理に適用されるカーボングラファイト製品;-
ダイヤモンド工具焼結型用カーボングラファイト製品
非鉄冶金および加工用のカーボングラファイト製品。

2200-3000 Graphite Heater for Semiconductor Silicon Wafer

2200-3000 Graphite Heater for Semiconductor Silicon Wafer

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